Résumé Cette thèse s’inscrit dans le cadre du développement des technologies CMOS 32/28nm chez STMicroelectronics. Elle porte sur l’étude d’empilements de grille métal/diélectrique high-k élaborés selon une stratégie d’intégration Gate First, où le couple TiN/HfSiON est introduit avec une couche interfaciale SiON et une encapsulation de la grille TiN par du polysilicium. Cette étude s’est principalement focalisée sur l’analyse des interactions entre les différentes couches constituant les empilements, en particulier des additifs lanthane et aluminium, employés pour moduler la tension de seuil Vth des transistors NMOS et PMOS respectivement. Les analyses physico-chimiques réalisées au cours de ces travaux ont permis de mettre en évidence la diffusion en profondeur des éléments La et Al à travers le diélectrique de grille HfSiON sous l’effet du recuit d’activation des dopants à 1065°C. Les résultats obtenus ont montré que ce processus de diffusion entraine une réaction du lanthane et de l’aluminium avec la couche interfaciale de SiON pour former un silicate stable La(ou Al)SiO au profit de la couche de SiON. L’analyse des propriétés électrique des structures MOS a permis de révéler que la présence d’atomes La ou Al proximité de l’interface HfSiON/SiON conduit à la présence d’un dipôle généré à cette interface, qui a pour effet de décaler le travail de sortie effectif de la grille métallique.

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