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Recent progress of gate dielectric films on Si, Ge and graphene

Lundi 28 octobre 2013 10:30 - Duree : 1 heure
Lieu : Salle Belledonne, IMEP-LAHC, Bât. Bcai, 3 parvis Louis Néel, 38000 Grenoble

Orateur : Professor Akira TORIUMI (University of Tokyo)

We are studying gate dielectrics on Si, Ge and graphene, because a key challenge in FETs is always on gate dielectrics and its interfaces. In m y talk I will pick up a couple of interesting topics we have recently studied. The scavenging process of the interfacial SiO2 layer in high-k/SiO2/Si gate stacks, high-pressure oxidation of Ge for high mobility Ge n-MOSFETs, and dual gated operation of bi-layer graphene FETs, will be highlighted. These topics are quite interesting (though still challenging) in terms of controlling the interface properties of dielectric films with channel materials.

More info on : http://imep-lahc.grenoble-inp.fr/events/seminar-of-monday-october-28-2013-560014.kjsp?RH=IMEP_EN

Contact : bauza@minatec.grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (IMEP/LAHC)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire IMEP/LAHC)
Site de l'évènement : Site Minatec

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