Electrodeposition de films de SnO2 nanostructurés pour la détection électrochimique sans marquage d’ADN

Orateur : Soutenance de Thèse de Minh Hai LE (LMGP)

Antérieurement, nous avions démontré la faisabilité de l’utilisation de films d’oxydes semi conducteurs, SnO2 pur ou dopé, présentant des surfaces denses 2D dans des capteurs à ADN basés sur la détection par spectroscopie d’impédance électrochimique non faradique. L’objectif du présent travail a été (i) d’améliorer les performances des capteurs à base de SnO2 en utilisant cette fois des films nanostructurés (1 ou 3D) afin de développer la surface spécifique, et (ii) d’étudier comment la topologie de surface influe sur le signal de détection de l’hybridation de l’ADN. Dans un premier temps, différentes nanostructures de SnO2 : 1D ou matrice nanoporeuse 3D ont été élaborées par la technique d’électrodéposition que nous avons montée et mise au point de façon à obtenir des films reproductibles. En comparaison des surfaces denses 2D de SnO2, les résultats ont montré une sensibilité supérieure, avec une limite de détection observée d’ADN de 2 nM, montrant l’importance d’avoir une surface développée. La structuration en nanofils est plus favorable que la matrice nanoporeuse en terme de sensibilité. Par ailleurs, en utilisant des ADN cibles, soit non complémentaires, soit possédant une ou deux mutations, nous avons pu montrer le caractère hautement sélectif de notre capteur dans le cas des deux types de nanostructures. Ce travail fortement expérimental a aussi permis de montrer l’importance de l’organisation structurale et morphologique du matériau sensible sur la réponse du signal à l’hybridation d’ADN.

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