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Physique des nanostructures et dispositifs : Que nous apprend la simulation ?

Vendredi 29 novembre 2013 14:00 - Duree : 1 heure
Lieu : Amphithéatre P014 - Phelma POLYGONE - 23 rue des martyrs - 38000 Grenoble

Orateur : Soutenance HDR de Yann-Michel NIQUET

Les nanosciences et nanotechnologies suscitent beaucoup d’intérêt pour leurs applications prometteuses dans les technologies de l’information, l’énergie ou même la médecine. En micro-électronique par exemple, la dimension caractéristique des transistors est passée de 90 à 22 nm en 10 ans, et l’industrie prépare maintenant le « nœud » technologique 14 nm prévu pour 2015. La modélisation a un rôle important à jouer dans cette évolution : Elle doit permettre de mieux comprendre la physique de ces dispositifs, et d’explorer de nouveaux concepts et solutions. Nous avons développé le code « TB_Sim » à cet effet. Je montrerai comment TB_Sim a permis de mettre en évidence des effets physiques originaux dans les nanostructures de semiconducteurs, en particulier dans les nanofils. Je discuterai notamment le rôle des surfaces et interfaces dans les propriétés diélectriques de ces systèmes. Je montrerai comment celles-ci contrôlent l’activité des dopants dans les fils, et le profil de potentiel dans les hétérostructures. Je démontrerai en particulier que le modèle des « puits et barrières carrés » habituellement utilisés dans les hétérostructures planes n’est pas toujours valable dans les fils à cause de la compétition entre les transferts de charge aux surfaces et aux interfaces. Enfin, je discuterai les propriétés de transport de nanofils de silicium contraints. Je montrerai qu’une ingénierie de contraintes adaptée peut augmenter efficacement les performances électriques des transistors à nanofils. Je conclurai sur les perspectives de ces travaux, tant du point de vue fondamental que technologique.

Discipline évènement : (Physique)
Nature évènement : (Soutenance HDR)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

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