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Vertical heterojunction Tunnel FETs based on transition metal dichalcogenides

Jeudi 9 janvier 2014 13:00 - Duree : 1 heure
Lieu : Amphithèâtre M001, Phelma, Bât. INP - Minatec - 3 Parvis Louis Néel - Grenoble

Orateur : David ESSENI (Prof. at the University of Udine, Italy)

In this presentation I will first introduce the context of the so-called power crisis that well describes the present stage of the development of computation technologies. In fact most of the digital systems around us today are power limited, and their performance is essentially the best that it can be obtained with the avail able power or energy budget. The scaling of the supply voltage is the most effective measure to improve the energy efficiency of CMOS device and circuits, and the development of small slope switches (i.e. transistors having a sub-threshold swing better than 60mV/dec) is a relevant and timely topic. In this framework, I will then briefly introduce the basic properties of transition metal dichalcogenides (TMD) MX2 (M = Mo, W and X = S, Se), which form a family of quasi-2D crystals having an energy band-gap typically ranging between 1eV and 2eV. I will show that TMD monolayers offer a variety of valence to conduction band alignments, ranging from staggered to broken bandgap, that can be used to in a vertical hetero-junction Tunnel FET with great potentials to achieve a very abrupt turn on characteristic. In this regard, I will show some preliminary calculations of the current-voltage characteristic of such devices obtained by using a semi-classical, transfer-Hamiltonian methodology, and then propose an outlook about future work dealing with the modeling and with the practical implementation of such tunneling transistors. http://imep-lahc.grenoble-inp.fr/ev....

Contact : bauza@minatec.grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (IMEP/LAHC)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire IMEP-LAHC)
Site de l'évènement : Site Minatec

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