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Challenges and Opportunities Of Nanoelectronic Devices | Resistance Switching Memory

Jeudi 10 avril 2014 14:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Amphithéâtre - 3ème étage - bât. A de l’institut Néel/CNRS - 25 rue des martyrs - 38000 Grenoble

Orateur : Yoshio NISHI (Stanford University & Nanosciences Foundation Chair of Excellence)

A number of alternative technologies, which could possibly replace a part of the Si based CMOS technology, both in high density/high speed memory and high performance transistors, have been pursued, as traditional scaling approach has started hitting a limit. This talk will review current activities on nonvolatile memory research, specially on resistance change memory from materials, in-depth physics for the switching phenomena, device and cell structures and circuits.

More info : http://www.fondation-nanosciences.fr/RTRA/fr/813/140410_seminaire_fondation_nishi.html

Contact : stephanie.monfront@fondation-nanosciences.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (Fondation Nanosciences)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire mensuel de la Fondation Nanosciences)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

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