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Elaboration de jonctions tunnel magnétiques à barrière SrTiO3 pour application bas RA

Vendredi 12 octobre 2012 14:00 - Duree : 4 heures
Lieu : Amphithéâtre P005 - Ecole Phelma POLYGONE - 23 rue des partyrs 38000 Grenoble

Orateur : Soutenance de thèse d'Emeline HASSEN (CEA Léti)

Ce travail de thèse porte sur l’élaboration et la caractérisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM) polycristallines à barrière d’oxyde de titane de strontium, SrTiO3, qui se situe parmi les nouvelles barrières tunnel aux bandes interdites les plus étroites, recensées par la littérature. De telles barrières pourraient répondre à un besoin applicatif crucial : avoir un produit résistance x surface, RA, plus faible dans les JTM, ou à son corollaire, avoir une épaisseur de barrière plus forte à RA égal tout en conservant une magnétorésistance tunnel, TMR, élevée. De précédents travaux ont montré que le SrTiO3 présente une température de cristallisation inhabituellement basse (< 400°C) lorsqu’il est déposé par pulvérisation par faisceau d’ions (IBS) ce qui peut le rendre compatible avec les électrodes magnétiques standards constitutives des JTM. Le dépôt par IBS restant une technique pour le moins exotique au regard de l’état de l’art des JTM, nous avons dans un premier temps élaboré des JTM à barrière d’oxyde de magnésium, MgO, matériau phare de la spintronique. Cette étude a permis de mettre en avant les paramètres spécifiques à cette technique de dépôt influant sur les propriétés de transport des JTM, notamment le type d’oxydation. Dans un second temps, nous avons réalisé des JTM CoFeB/SrTiO3/CoFeB par IBS à partir d’une cible céramique de SrTiO3, en nous inspirant du travail effectué sur le MgO. Les influences de plusieurs paramètres de dépôt, d’oxydation et de recuit ont été analysées, conduisant à deux tendances opposées avec des systèmes présentant soit à une TMR élevée (18 %), soit un RA faible (2.6 Ohm.µm²). Des JTM SrTiO3 ont ensuite été nanostructurées pour la première fois et les tests électriques ont montré que les JTM ayant un bas RA présentaient un comportement ohmique alors que celles ayant une TMR élevée présentaient le comportem ent tunnel attendu. De plus, ces dernières présentent un claquage diélectrique intrinsèque à l’oxyde. En parallèle, des études microstructurales ont montré une qualité morphologique des JTM SrTiO3 semblable à celle des JTM MgO à l’état de l’art. Toutefois, ces observations n’ont pas permis de statuer sur le caractère cristallisé ou non des barrières en SrTiO3. Plusieurs pistes visant à déterminer la température de cristallisation du SrTiO3 dans la gamme des épaisseurs extraordinairement faibles des barrières tunnel ont été proposées.

Contact : rachel.mauduit@cea.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (LETI)
Nature évènement : (Soutenance de thèse)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

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