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Élaboration et caractérisation de couches minces supraconductrices épitaxiées de rhénium sur saphir

Mercredi 25 février 2015 10:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Amphithéâtre du CNRS bâtiment A, 3ème étage - 25 rue des Martyrs – Grenoble

Orateur : Soutenance de Thèse de Benjamin DELSOL

Dans les dispositifs électroniques, il est attendu que la réduction de la taille des composants atteigne prochainement la limite quantique. De ce fait, manipuler l’information quantique apparait comme un nouveau challenge. Les Qubits supraconducteurs basé sur la physique du solide et les Jonctions Josephson sont des systèmes prometteurs qui profitent des avantage des technologies de la micro-électronique. Toutefois, le temps de décohérence des états quantique est encore un facteur limitant. Cette limitation est généralement attribuée à la faible qualité cristalline des matériaux utilisés (défauts cristallins, impuretés). La technique d’épitaxie par jets moléculaires a été utilisé pour la croissance de couches minces de rhénium de haute qualité cristalline sur des substrat de saphir dans un environnement Ultra Haut Vide. Le misfit existant entre les réseaux cristallins du rhénium et du saphir est suffisamment bas pour permettre une croissance épitaxiale du rhénium sur le saphir, mais également une croissance d’une barrière tunnel en oxyde d’aluminium monocris tallin sur la couche de rhénium elle-même. Afin d’améliorer la qualité cristallographique de la couche de rhénium, des simulations et de nombreuses techniques de caractérisation ont été utilisées. Puis les propriétés supraconductrices des films de rhénium ont été étudié à des températures ultra basses afin de comparer ces propriétés à la qualité cristallographique de nos films.

Contact : bruno.gilles@simap.grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (Simap/Phelma )
Nature évènement : (Soutenance de thèse)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

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