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In situ synchrotron X-ray studies of growing Si nanowires : new setup and first results

Mercredi 14 novembre 2012 14:00 - Duree : 1 heure
Lieu : Salle des Séminaires du LMGP (M2-20), 2ème étage, Bât Phelma MINATEC - 3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble

Orateur : Valentina CANTELLI (Fondation Nanosciences/LMGP)

This study concerns the in-situ investigation of Si nanowires (NWs) by Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXD) on Si(111) and Ge(111). Si NWs show a perfect epitaxial relationship with the substrate and no difference in lattice parameters. The evolution of size and shape as well as the formation of stacking faults with respect to the different growth conditions was also monitored. Au catalyst crystallization was investigated differentiating between the top NW contribution and the substrate. GIXD studies of the heteroepitaxial growth of Si nanostructures on Ge(111) revealed the initial formation of strained silicon, followed by the growth of relaxed Si.

Contact :colette.lartigue@grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (LMGP)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire LMGP)
Site de l'évènement : Site Minatec

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