Microscopie et spectroscopie tunnel à très basse température de graphène épitaxié sur SiC

Orateur : Soutenance de Thèse de Toai LE QUANG

De part leur grande surface, les couches de graphène épitaxiées sur le carbure de silicium sont un système intéressant pour l’étude des propriétés électroniques du graphène par microscopie par effet tunnel. Parmi les résultats importants obtenus sur ce système figure le fait qu’aux faibles énergies, des couches de graphèn es empilées avec une rotation entre elles se comportent comme du graphène isolé. Aux énergies plus élevées, le couplage entre les couches résulte en l’apparition de divergences dans la densité d’état appelées singularités de van Hove. Plusieurs résultats expérimentaux montrent que cette physique n’est valable qu’aux grands angles et qu’une nouvelle physique émerge en raison du fort couplage pour les angles de rotation inférieurs à 2° mais pas d’étude systématique n’a été réalisée. Je présenterai une étude expérimentale détaillée des propriétés électroniques de couches de graphènes tournées l’une par rapport à l’autre d’un angles compris entre 1° et 2°. Cette étude confirme que pour ces petits angles, les fonctions d’ondes électroniques deviennent localisées spatialement. Ce phénomène de localisation s’accompagne de l’apparition de nouvelles structures dans la densité d’état du système, un résultat qui n’a pas été décrit jusqu’à prése nt. Je discuterai du lien possible entre mes observations et la présence de désordre dans le système à la lumière de calculs ab-initio. Ce modèle décrit une partie de mes observations mais soulève de nouvelles questions.

Télécharger dans mon agenda