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4H-SiC Trenched & Implanted Vertical JFETs (TI-VJFETs)

Jeudi 12 mai 2016 13:00 - Duree : 1 heure
Lieu : Amphithéâtre M001, Phelma-Minatec, bât. INP, 3 Parvis Louis Néel, Grenoble

Orateur : Konstantinos ZEKENTES (Microelectronics Research Group, Foundation for Research and Technology-Hellas Heraklion, Crete)

SiC JFETs may have the lowest overall losses of switching devices and can operate at temperatures over 400°C. Over different JFET designs the trenched and implanted (T I) gate vertical JFET is very attractive since it may have the lowest on-resistance and its fabrication does not require epitaxial overgrowth or multiple angled ion implantations. The effort for developing high power 4H-SiC JFETs will be presented. Analytical and TCAD modeling, edge termination optimization, lithography approach and device parameter extraction from I-V measurements are some of the issues which will be addressed.

http://imep-lahc.grenoble-inp.fr/seminars/seminar-thursday-may-12nd-2016-772537.kjsp?RH=IMEP_FR

Contact : bauza@minatec.grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (IMEP/LAHC)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire IMEP-LAHC)
Site de l'évènement : Site Minatec

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