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All-region MOSFET model : theory and applications

Jeudi 26 janvier 2017 13:00 - Duree : 1 heure
Lieu : Salle Belledonne - IMEP-LaHC, 3 Parvis Louis Neel, Bât. BCAi, Minatec

Orateur : Carlos GALUP (Electrical Engineering Dpt., Federal University of Santa Catarina, Florianópolis, Brazil)

Since the MOS transistor is the basic component of modern electronics, a careful presentation of its basic theory will be given. Instead of the usual approach of furnishing s eparate analytical formulas for the strong and weak inversion regions of the MOS transistor, we provide simple formulas which are valid in all operating regions, including moderate inversion. We will review ultra-low-power circuits that allow the automatic extraction of the specific current IS and the threshold voltage VT of MOS transistors, which are fundamental parameters for circuit design and testing, as well as for technology characterization. The design of this class of circuits must be based on all-region MOSFET models since both the drift and the diffusion components of the drain current are important for transistors operating near the threshold condition.


Contact : bauza@minatec.grenoble-inp.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (IMEP/LAHC)
Nature évènement : (Séminaire)
Evènement répétitif : (Séminaire IMEP-LAHC)
Site de l'évènement : Site Minatec

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