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Single-electron counting statistics of shot and thermal noise in nanowire Si MOSFETs
Mardi 5 février 2013 15:00 - Duree : 1 heureLieu : Salle "Remy Lemaire" K 223, 1er étage, Bât. K, Institut Néel / CNRS - 25 rue des martyrs - Grenoble
Orateur : Katsuhiko NISHIGUSHI (NTT Basic Research Laboratories, Kanagawa - Japan)
More info on : http://www.fondation-nanosciences.fr/RTRA/fr/622/130205_seminaire_nishigushi.html Contact : xavier.jehl@cea.fr
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