« novembre 2018 »
L M M J V S D
29 30 31 1 2 3 4
5 6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18
19 20 21 22 23 24 25
26 27 28 29 30 1 2
 
Tous les évènements de Physique à venir

Tous les évènements de Biologie / Chimie à venir

Tous les évènements à venir

Les évènements relevant de la Physique et de la Biologie / Chimie sont représentés en turquoise

Axial GaAs/InAs nanowire heterostructures for photonic applications on Si

Lundi 24 septembre 14:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Salle « Remy Lemaire » (K223) de l’Institut Néel – au n°25 de la rue des martyrs, Grenoble.

Orateur : Soutenance de Thèse de Daria BEZNASYUK (Institut Néel CNRS)

ATTENTION : If you need an entry permit to access Néel Institut, please let us know by sending an email to moira.hocevar@neel.cnrs.fr or muriel.boyer@neel.cnrs.fr before September 21st

Abstract : Combining direct bandgap III-V compound semiconductors, such as InAs and GaAs, with silicon to realize on-chip optical light emitters and det ectors at telecommunication wavelengths is an important technological objective. However, traditional thin film epitaxy of InAs and GaAs on silicon is challenging because of the high lattice mismatch between these materials. Nanowires can overcome this limitation. Indeed, their free lateral surface efficiently releases the mismatch strain via elastic lateral relaxation. In this thesis, I first demonstrate the growth of axial GaAs/InAs nanowire heterostructures on a silicon substrate. I grew nanowires by gold-assisted vapor liquid solid mechanism, in a molecular beam epitaxy reactor. The nanowires were then characterized using energy dispersive x-ray spectroscopy and transmission electron microscopy to evaluate their composition and crystalline structure. The strain distribution around the GaAs/InAs interface was studied experimentally using geometrical phase analysis and compared to numerical simulations, performed with the COMSOL software. To realize these structures, I tackled different challenges inherent to axial nanowire heterostructures, such as kinking during material exchange, compositionally graded interfaces, and radial overgrowth.

Contact : moira.hocevar@neel.cnrs.fr

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (Institut Néel / PLUM)
Nature évènement : (Soutenance de thèse)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

Prévenir un ami par email

Télécharger dans mon agenda

Cafés sciences de Grenoble | UdPPC de Grenoble | Sauvons Le Climat | Cafe des sciences de Vizille
Accueil du site | Secretariat | Espace privé | Suivre la vie du site RSS 2.0 : Tous les evenements Suivre la vie du site RSS 2.0 : Evenements de Physique Suivre la vie du site RSS 2.0 : Evenements de Biologie & Chimie