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Propriétés de transport et d’anisotropie de jonctions tunnel magnétiques perpendiculaires avec simple ou double barrière

Mardi 10 novembre 2015 14:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Amphithéâtre du CNRS bâtiment A, 3ème étage - 25 rue des Martyrs – Grenoble

Orateur : Soutenance de Thèse de Léa CUCHET

Du fait de leurs propriétés avantageuses en termes de rétention des données, densité de sto ckage et faible courant critique pour l’écriture par courant polarisé en spin (STT), les jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire sont devenues prédominantes dans les études sur les applications aux mémoires magnétiques MRAM. Les travaux de cette thèse s’inscrivent dans ce contexte avec pour but l’amélioration des propriétés de transport et d’anisotropie de telles structures ainsi que la réalisation d’empilements encore plus complexes tels que des doubles jonctions perpendiculaires. Grâce à l’étude des propriétés magnétiques et des mesures de MagnétoRésistance Tunnel (TMR), il apparaît que pour optimiser les performances des jonctions tunnel, l’ensemble des épaisseurs des couches composant l’empilement doit être adapté. Des compromis sont souvent nécessaires pour obtenir à la fois une forte anisotropie perpendiculaire et des signaux de TMR élevés. Des études en fonction des épaisseurs magnétiques ont permis de déterm iner les aimantations à saturation, épaisseurs critiques et couches mortes dans les couches de référence et de stockage de jonctions standard avec électrode libre supérieure et couverture Ta. Ce type de jonction a pu être nano-fabriqué sous forme de piliers circulaires afin de tester l’écriture par STT. Sachant que l’anisotropie perpendiculaire provient essentiellement de l’interface métal/oxyde, la couverture Ta a été ensuite remplacée par une deuxième couche de MgO, permettant d’améliorer significativement l’anisotropie de la couche libre. En introduisant une seconde référence au-dessus de cette jonction, des doubles jonctions perpendiculaires fonctionnelles ont pu être fabriquées. Des couches de stockage antiferromagnétiques synthétiques de la forme CoFeB/insert/CoFeB ont pu être développées et apparaissent suffisamment stables pour pouvoir remplacer les traditionnelles références à base de multicouches Co/Pt.

Attention : Pour l’entrée sur le CNRS, il nous est demandé de fournir la liste des personnes qui assisteront à la soutenance de thèse. Seules les personnes figurant sur cette liste ou ayant un laisser passer seront autorisées à entrer sur le site du CNRS.

Merci à ceux qui souhaitent assister à la soutenance de thèse de Léa soit :

- de s’inscrire sur la liste, avant le 09 Novembre 2015 (16h00), que vous trouverez sur : S :\400-Infos_communes_SPINTEC\400.1-Secretariat\ Matrice CNRS Léa CUCHET

- de m’avertir par mail de leur participation

Contact : rachel.mauduit@cea.fr

Discipline évènement : (Physique)
Nature évènement : (Soutenance de thèse)
Site de l'évènement : Polygone scientifique

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