Transistrors MOS : FDSOI vs FinFET

Orateur : François ANDRIEU (Expert Sénior au LETI en technologie et dispositifs CMOS, CEA Tech/LETI/DCOS/SCME/LICL)

Ces dernières années, la technologie de fabrication des transistors MOS a connu des ruptures majeures avec notamment l’intégration de deux nouvelles architectures de transistors en production : le FDSOI et le finFET. L’exposé reviendra sur ces évolutions et leurs raisons puis dressera un comparatif de ces deux différentes structures. Il se focalisera ensuite sur la technologie FDSOI ( pour "Fully Depleted Silicon-On-Insulator") développé notamment dans la region grenobloise en retraçant rapidement un historique et en donnant quelques perspectives, tant scientifiques qu’applicatives.

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