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Physique des vallées dans les MOSFETs silicium

Lundi 24 juin 13:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Salle du bâtiment accueil, CEA - 17 rue des Martyrs - Grenoble

Orateur : Soutenance HDR de Vincent RENARD

Le silicium est à la base de notre technologie de l’information. Cette technologie découle de recherches fondamentales menées à l’issue de la seconde guerre mondiale et notamment la découverte de l’effet de champ et de la grande qualité de l’interface formée entre le silicium et son oxyde. La maî trise technologique et l’invasion littérale du silicium dans notre quotidien (téléphones, ordinateurs, voitures…) pourrait laisser penser que cette interface ne possède plus de secrets. Ce n’est donc pas sans surprise qu’il fût découvert en 2004 la possibilité de lever électriquement la dégénérescence de vallée propre au silicium lorsque cette interface est préparée par implantation d’oxygène. Cette présentation d’Habilitation à Diriger des Recherches présentera nos efforts pour étudier l’effet de cette levée de dégénérescence sur les propriété de transport dans les MOSFETs silicium.

Pour des questions d’organisation : les personnes souhaitant participer au pot qui suivra la soutenance doivent contacter Vincent Renard (vincent.renard@cea.fr)

Discipline évènement : (Physique)
Entité organisatrice : (INAC/SPSMS)
Nature évènement : (Soutenance HDR)
Site de l'évènement : Site CEA sans badge requis

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