« avril 2024 »
L M M J V S D
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 1 2 3 4 5
 
Tous les évènements de Physique à venir

Tous les évènements de Biologie / Chimie à venir

Tous les évènements à venir

Les évènements relevant de la Physique et de la Biologie / Chimie sont représentés en turquoise

Caractérisation théorique des défauts ponctuels dans les semi-conducteurs : du photovoltaïque aux applications d’ingénierie quantique

Vendredi 31 mars 2023 09:00 - Duree : 2 heures
Lieu : Salle de séminaire 445, bâtiment 1005, CEA Grenoble + VISIO-CONFERENCE

Orateur : Soutenance de Thèse de Sameer GUPTA (IRIG/MEM)

L’accès à la salle 445 nécessite un laisser passer (Pascal Pochet)

Suivre la soutenance en visioconférence :

https://univ-grenoble-alpes-fr.zoom.us/j/94306504831? p wd=TWlPVGRKWFp5VUxXRmIwRFNrTWhaZz09

Meeting ID : 943 0650 4831 - Passcode : 596085

Résumé :

Les défauts ponctuels jouent un rôle essentiel dans les applications technologiques des semiconducteurs, en fournissant des conditions de dopage appropriées. Dans le même temps, les défauts présentant des caractéristiques de piégeage des porteurs peuvent s’avérer préjudiciables aux performances et aux rendements des dispositifs.

Cette ambivalence des défauts est étudiée ici dans le tellurure de cadmium (CdTe). Le CdTe a plusieurs applications technologiques, telles que les cellules solaires, les détecteurs de radiation nucléaire, et la spectroscopie astronomique. Bien qu’étudiées depuis plusieurs décennies, une meilleure compréhension des propriétés des défauts natifs doit permettre d’améliorer des stratégies de dopage ou d’ingénierie matériau. L’étude par calculs DFT des impuretés ajoutées intentionnellement dans le CdTe et leur interaction avec les défauts natifs forment le coeur de cette thèse.

La solotronique s’intéresse à la manipulation d’atomes uniques et aux propriétés qui en découlent. Pourquoi est-il plus facile d’insérer du manganèse que du chrome dans CdTe ? En utilisant l’énergie de liaison associée à l’interaction entre le dopant et les défauts natifs, calculée par DFT, il est possible de répondre à cette question. L’analyse plus fine de l’interaction de ces deux dopants avec les défauts natifs permet aussi d’expliquer le changement observé expérimentalement dans l’état de spin du Cr.

Dans un second temps, nous aborderons la passivation de défauts recombinant par le sélénium. En effet, la conception de cellules solaires en CdTe polycristallin impliquant l’utilisation de sélénium (Se) a permis d’augmenter l’efficacité des dispositifs à plus de 22 %. En termes de physique des défauts, les études expérimentales ont élucidé le fait que l’atome de Se diffuse dans le CdTe massif et passive les pièges à porteurs qui y sont présents. Il reste toutefois à comprendre à l’échelle atomique le mécanisme de diffusion ainsi que celui de passivation.

Ensemble, ces deux études démontrent que la compréhension du mécanisme sous-jacent à l’échelle atomique peut être utilisée pour définir les phénomènes caractérisés expérimentalement à l’échelle macroscopique.

https://irig.cea.fr/drf/irig/Pages/Animation-scientifique/theses/2023_Gupta.aspx

Contact : odile.rossignol@cea.fr



Prévenir un ami par email

Télécharger dans mon agenda

Cafés sciences de Grenoble | UdPPC de Grenoble | Sauvons Le Climat | Cafe des sciences de Vizille
Accueil du site | Secretariat | Espace privé | Suivre la vie du site RSS 2.0 : Tous les evenements Suivre la vie du site RSS 2.0 : Evenements de Physique Suivre la vie du site RSS 2.0 : Evenements de Biologie & Chimie